Planar IGBT概覽昌德微電的Planar IGBT采用先進(jìn)的場(chǎng)終止（Planar FS）技術(shù)，結(jié)合國(guó)際領(lǐng)先的晶圓制程，致力于為客戶提供穩(wěn)定的高可靠性的產(chǎn)品。平衡了靜態(tài)飽和壓降、動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性、器件的魯棒性三者的關(guān)系，實(shí)現(xiàn)了低漏電、高結(jié)溫、強(qiáng)短路能力等特性。適用于工業(yè)變頻、UPS電源、太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)控制、逆變焊接等設(shè)備中，結(jié)合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝外形，滿足客戶個(gè)性需求。
產(chǎn)品選型| TYPE | VCES(V) | IC(A) | VEC(sat)(V) | Vth(V) | Eon(mJ) | Eoff(mJ) | Package | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| THG15N120FQKH | 1200 | 15 | 2.3-2.8 | 4.8-6.6 | 3 | 0.5 | TO-247H | 產(chǎn)品規(guī)格書 立即咨詢 |
| THG25N120FQKH | 1200 | 25 | 2.3-2.8 | 4.8-6.6 | 4.1 | 0.8 | TO-247H | 產(chǎn)品規(guī)格書 立即咨詢 |
| THG40N120FQKH | 1200 | 40 | 2.3-2.8 | 4.8-6.6 | 6.5 | 1.5 | TO-247H | 產(chǎn)品規(guī)格書 立即咨詢 |
| THG50N120FQKH | 1200 | 50 | 2.3-2.8 | 4.8-6.6 | 8 | 2.1 | TO-247H | 產(chǎn)品規(guī)格書 立即咨詢 |
| THG75N120FQKP | 1200 | 75 | 2.3-2.8 | 4.8-6.6 | 11 | 3.9 | TO-247P | 產(chǎn)品規(guī)格書 立即咨詢 |
| THG75N120FQL | 1200 | 75 | 2.3-2.8 | 4.8-6.6 | 11 | 3.9 | TO-264 | 產(chǎn)品規(guī)格書 立即咨詢 |